La investigación sobre óxidos semiconductores transparentes (TCO) basada en sus propiedades físicas que les permiten ser utilizados en una amplia variedad de dispositivos electrónicos, ha generado una gran cantidad de publicaciones en la literatura científica internacional. Los materiales más estudiados en este campo son óxido de estaño, óxido de indio, óxido de zinc y óxido de tinanio. El óxido de zinc, ZnO, presenta las ventajas de ser un material no tóxico y estable ante plasmas moderados de hidrógeno. La formación de películas de ZnO con la técnica de Rocío Pirolítico presenta un alto potencial de aplicación industrial debido a su tecnología de control, su operación sencilla y reproducible. En esta investigación se presentan resultados originales obtenidos en el depósito de películas delgadas de ZnO empleando Flúor como inpurificante mediante la técnica de Rocío Pirolítico. La contribución principal es brindar una visión más amplia sobre las propiedades físicas de las películas de ZnO por medio de un estudio experimental completo y detallado.