En el presente trabajo, el objetivo fue estudiar las características I-V y C-V de la estructura Al/SRO/Si y emplear las aproximaciones de unión PN y capacitor MOS en el análisis físico de la estructura. El índice de refracción y los espesores de las películas se determinaron por elipsometría. Dependiendo del exceso de silicio y el voltaje aplicado, el dispositivo se comporta como unión inducida P-N o como un capacitor MOS. Se obtuvieron gráficas I-V y C-V. De las gráficas I-V se encontró que la corriente es altamente dependiente del tipo y concentración del sustrato y de la Ro. De las gráficas C-V se muestra que tenemos intercambio de carga en la región de deserción próxima a la región de inversión y ésta se manifiesta como cambios abruptos en esta región. Se modelan los resultados de capacitancia contra voltaje utilizando la teoría del capacitor MOS y la unión P-N. Las gráficas I-V con iluminación muestran que la estructura analizada es un buen sensor de luz en el visible. Se reportan los parámetros obtenidos como la constante dieléctrica, densidad de trampas en el aislante, tiempo de vida de generación y las aproximaciones a la unión inducida P-N, MOS y deserción profunda.