En las últimas cuatro décadas el desarrollo de la industria microelectrónica ha dado la pauta en la tendencia de la producción de materiales ultra finos (con microestructura nanométrica) y ultra puros (sin impurezas, ni defectos) que garanticen un incremento en la eficiencia funcional de sus partes con el menor volumen posible. El objetivo general de este trabajo consistió en sintetizar (depósito y recocido) películas ferroeléctricas de Titanato de Plomo (PT) depositadas sobre sustrato de Pt/Ti/SiO2/Si <100>. El método utilizado fue CVD-AA debido a lo antes mencionado. En general en este tipo de películas el recocido es una etapa necesaria para obtener la fase Perovskita (ferroeléctrica) deseada. El trabajo incluye su respectivo análisis térmico gravimétrico, y su caracterización cristalográfica y microestructural. Dentro de los resultados obtenidos podemos mencionar que las películas presentaron buena homogeneidad química y estructural a nivel micrométrico, las fases presentes en las películas correspondieron a las deseadas, donde los dominios ferroeléctricos fueron observados.