Las estructuras de silicio poroso poseen un área específica muy grande que permite una fuerte interacción con el entorno, brindando además particularidades a su respuesta óptica y eléctrica. Esto lo hace sumamente atractivo entre otras cosas para su empleo en sensores y también en dispositivos fotovoltaicos. En todos estos casos su uso ha representado una alternativa interesante, y es aún objeto de estudio. Por lo tanto, en este trabajo se presentan estudios sobre las propiedades estructurales y eléctricas de películas delgadas de óxido de estaño, óxido de zinc sobre capas de silicio macro-poroso. Se presentan diversos métodos de deposición de los óxidos sobre las capas de silicio macro-poroso, basados en técnicas de química suave. Además se realizan diversos análisis sobre el transporte eléctrico de las heterojunturas y se proponen modelos teóricos que permiten reproducir los resultados experimentales.