Los materiales de banda intermedia tienen el potencial de incrementar la eficiencia de los dispositivos fotovoltaicos en la 3ª Generación de Células Solares mediante la absorción de fotones de energía menor a la del bandgap. Una de las opciones para fabricar este tipo de semiconductores es la introducción de impurezas con niveles profundos en concentraciones por encima del límite de Mott. Para ello, la técnica de implantación iónica es una herramienta fundamental, ya que permite introducir prácticamente cualquier elemento en la concentración requerida. La técnica de recocido con laser pulsado permite reparar la red tras la implantación y obtener un material con una concentración de impurezas por encima del límite de solubilidad sólida. En la primera parte de este trabajo se analizan las propiedades del Si implantado con Ti en altas dosis, se modelan las propiedades de transporte eléctrico y se concluye que el material resultante tiene unas características adecuadas para fabricar células solares de banda intermedia. En la segunda parte se estudian las propiedades del GaP implantado con Ti en altas dosis, y se analizan las propiedades ópticas y eléctricas del GaNxAs1-x.