Este libro explora las posibilidades del silicio hiperdopado con metales de transición como candidato para una nueva generación de fotodetectores de infrarrojo (IR) compatibles con la tecnología CMOS y operados a temperatura ambiente. Mediante técnicas de procesado fuera del equilibrio termodinámico, tales como la implantación iónica y el fundido por láser pulsado, se obtendrá silicio con concentraciones de metales de transición varios órdenes de magnitud superiores a los valores de equilibrio. Estas altas concentraciones formarán una banda de estados permitidos en el gap de energías prohibidas del silicio. Las transiciones ópticas que involucren a esta banda darán lugar a la absorción de fotones con energías menores a las del bandgap del silicio, extendiendo sus posibilidades de fotodetección hacia el rango IR del espectro electromagnético. Asimismo se estudiará el compuesto de ZnO dopado con vanadio en el marco de los óxidos conductivos transparentes como posible contacto delantero en fotodetectores o células solares.